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1320nm高溫高功率DFB激光芯片  

1320nm高溫高功率DFB激光芯片
1320nm高溫高功率DFB激光芯片適合在高溫下工作,具有超低的RIN 噪聲和高輸出光功率等優(yōu)點.輸出功率高達250mW.可根據客戶的需求提供波長定制服務


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產品型號 1
貨號 操作 名稱
I80010005  1320nm 高溫高功率DFB芯片 250mW   [PDF] 芯片類型:DFB;中心波長:1320nm;輸出功率:250mW;邊模抑制比:45dB;偏振消光比:20dB;芯片溫度:85℃;CoC封裝    價格 : ¥0 庫存/貨期:請咨詢客服
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1320nm高溫高功率DFB激光芯片適合在高溫下工作,具有超低的RIN 噪聲和高輸出光功率等優(yōu)點.輸出功率高達250mW.可根據客戶的需求提供波長定制服務

通用參數

產品特點:

高功率和高溫的設計

在大的溫度和電流范圍內無跳模

低光束發(fā)射角

高邊摸抑制比(SMSR)

低RIN

高反饋可持續(xù)性


產品應用:

光信號收發(fā)器

數據中心

 

技術參數:

推薦的操作條件

參數

Min. 值

典型值

Max. 值

單位

芯片溫度

65

85

105

正向電流


800

900

mA

輸出功率

20


250

mW


基本參數





對每個樣品進行測試@ CW, 85℃, 800mA





參數

Min. 值

典型值

Max. 值

單位

輸出功率@ 900mA

250



mW

正向電壓


1.5

3

V

閾值電流


100

130

mA

功率轉換效率


18


%

峰值波長*

1315

1320

1325

nm

波長溫度調諧系數


90


pm/℃

波長電流調諧系數


2.9


pm/mA

邊模抑制比 (SMSR)

40

45


dB

慢軸光束發(fā)散角 (FWHM)

7

8

9

deg

快軸光束發(fā)散角 (FWHM)

33

35

37

deg

偏振消光比 (PER)

15

20


dB

偏振


TE



*可根據要求提供范圍1270-1330nm范圍的其他波長

噪聲特性





條件 @ CW, 85℃, 800mA





參數

Min. 值

典型值

Max. 值

單位

線寬 (自外差法 @ 80MHz)


1

5

MHz

相對強度噪聲 (RIN)*



-140

dB/Hz

反饋靈敏度 (optical)**



-30

dB

* 平均值,測量范圍為DC-10GHz

** 單線光譜和RIN<-140dB/Hz

芯片參數

參數

Min. 值

典型值

Max. 值

單位

芯片長度


3


mm

前端面的背向反射


0.01

0.1

%

后端面的背向反射

90

99


%

 

光譜圖




典型工作性能

@CW,推薦操作條件












jue對Max. 值參數

參數

Min

Max

單位

正向電流


950

mA

反向電壓


1

V

工作溫度

5

125

焊接溫度 (5 sec max)


250

存儲溫度 (采用原始密封包裝)

-40

85



尺寸












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